Die Samsung SSD PM9A3 bietet eine herausragende Leistung mit sofortiger Reaktionsfähigkeit auf das Host-System, indem sie den Schnittstellenstandard Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 sowie das hocheffiziente Non-Volatile Memory Express (NVMe)-Protokoll verwendet.
Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist.
Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.
Allgemein
Ger?tetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschl?sselung
Ja
Verschl?sselungsalgorithmus
256-bit AES-XTS
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Leistung
Interner Datendurchsatz
5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
85000 IOPS
Zuverl?ssigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivit?t
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 22110
Stromversorgung
Energieverbrauch
8.2 Watt (Lesen)
8.2 Watt (Schreiben)
2.5 Watt (Leerlauf)
Verschiedenes
Kennzeichnung
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 ?C
Max. Betriebstemperatur
70 ?C
Min. Lagertemperatur
-40 ?C
Max. Lagertemperatur
85 ?C
Zul?ssige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 10-2000 Hz